第三代半導體 該拿什么擁抱固態紫外市場？

隨著半導體照明產業的迅猛發展以及LED技術及產品的廣泛應用，支撐LED光電器件的核心材料氮化鎵(GaN)以及碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料技術及應用正在成為全球半導體產業新的戰略高地。

半導體照明是第三代半導體技術所實現的第一個突破口，如今LED發光技術的進步現已突破傳統的照明概念，并已開拓、發展LED發光新技術領域。沿長波方向，已從藍光拓寬到綠光、黃光、紅光，發展“超越照明”，開拓在生物、農業、醫療、保健、航空、航天和通信等領域應用;沿短波方向，現已發展高效節能、環境友好、智能化的“紫光光源”，期望逐步取代電真空紫外光源，引領紫外技術的變革，開拓紫光應用廣闊領域。

有數據顯示，紫外線LED應用于光固化市場產值2021年將達1.95億美元， 2020年紫外線LED光固化模組的滲透率將來到50~60%。紫外LED殺菌與凈化應用的市場產值2021年將達2.57億美元。應用的發展離不開技術的支撐，第三代半導體又將如何擁抱固態紫外市場?

2016年11月15日至17日，第十三屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA2016)將在北京國際會議中心召開，并將與2016中國(北京)跨國技術轉移大會暨第三代半導體國際論壇(以下簡稱“跨國技術轉移大會”)同期同地舉行。此次跨國技術轉移大會，由中國科技部與北京市人民政府主辦，將覆蓋眾多科技、產業創新熱點領域。其中，大會圍繞第三代半導體的前沿發展和技術應用設置了包括第三代半導體與固態紫外器件、碳化硅電力電子器件、氮化鎵及其它新型寬禁帶半導體電力電子器件技術等多個專場分會重點討論。

為了360度全方位保證分會的高水準，分會采用召集人+主席+分會團的模式，兼顧產學研，每一環節都有超強專家的鼎力支持。目前第三代半導體與固態紫外器件分會陣型漸露，看點十足。

分會召集人由中科院蘇州納米所研究員、博士生導師、納米測試中心主任，蘇州納維科技有限公司董事長，中組部國家千人計劃、國家杰出青年基金獲得者徐科和中科院半導體研究所所長助理、研究員張韻擔任。

徐科長期圍繞高質量氮化物半導體材料生長及相關生長裝備和測試分析儀器的研究與研發。對氮化物半導體的MOCVD和MBE生長機理、氮化物的極性選擇、極性控制有系統深入研究，闡明了極性對氮化銦(InN)生長的特殊影響;近年來重點開展極低位錯密度GaN和AlN單晶材料的氫化物氣相外延(HVPE)生長研究，完成2～4英寸氮化鎵單晶襯底技術開發，并實現量產;開展了納米尺度空間分辨的綜合光電測試技術與裝備研制，研究了氮化物材料中單個缺陷并探索氮化物低維結構的新奇物性。發表SCI論文80余篇，申請專利50項，國際會議特邀報告20余次。現任科技部新材料領域納米主題專家，國家納米技術標準委員會委員，中國電子學會高級會員、電子材料分會副主任委員，光學學會光學材料委員會委員。

張韻曾在美國高平(Kopin)半導體公司III-V部門從事研發工作，具備多年GaN、GaAs基器件的設計、制造工藝及器件物理分析經驗。2006年至2010年，參與完成與美國國防部先進研究項目局(DARPA)在深紫外光電探測器領域的項目“Deep Ultraviolet Avalanche Photodetectors(DUVAP)”， 及DARPA部署在可見光波段激光器領域的項目“Visible In GaN Injection Lasers(VIGIL)”。在光電子器件領域取得了豐碩成果的同時，在GaN基大功率電子器件方面也有豐富的經驗和世界領先的成果。

分會外方主席由美國佐治亞理工學院教授Russell Dupuis擔任，他于1977年開發并完善了金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)過程，使高亮度LED實現生產，并且為現在高亮度LED、激光二極管、太陽能電池、高速光電設備的生產奠定了基礎。由于其LED行業的杰出貢獻，他于2015年被美國國家工程院授予查爾斯·斯塔克·德雷珀獎。

除了重量級的分會外方主席與召集人，分會力邀多位國內外的權威專家組成分會委員團，共同坐鎮，為分會提供最堅實的支持。

其中，分會成員劉國旭，易美芯光(北京)科技有限公司執行副總裁，首席技術官，國家千人計劃創新類人才。劉國旭曾先后就職于美國通用汽車電子部， 英特爾， 朗訊貝爾實驗室(Bell Lab)， 北方電訊(Nortel)，Luminus等多家國際知名企業，擔任技術總監等職務，2009年回國聯合創立了易美芯光。劉國旭在封裝設計、工藝研發、系統集成及可靠性分析具有豐富的經驗，參與并主持了多項具有重大影響的研發項目，多次受邀在知名的國際會議上發表演講，曾獲得權威學術會議優秀論文獎。他同時是國家科技部“863計劃”半導體照明工程專家組成員，在國際知名雜志及學術會議上發表過40余篇專業論文, 并擁有30余項美國及中國專利。

分會委員陸海，南京大學教授，兼任南京微結構國家實驗室(籌)主任研究員(PI)，他師從美國工程院院士Lester Eastman教授，曾受聘于美國通用電氣公司(GE)研發中心任高級研究員。陸海主要從事寬禁帶半導體材料和器件研究，獲得多項有影響力的成果。近年來重點開展GaN基高功率電子器件、深紫外探測器件、及新型氧化物透明薄膜晶體管研究。已發表學術論文兩百余篇，其中包括SCI論文180余篇。2007年入選教育部新世紀人才支持計劃;2008年獲得國家杰出青年科學基金資助;2012年入選教育部長江學者特聘教授。

本次分會邀請設置了眾多精彩報告，其中，分會外方主席、美國佐治亞理工學院教授Russell Dupuis，分會委員、南京大學教授陸海將聯袂眾多專家做特邀報告，全方位分享固態紫外器件方方面面的研究成果。

中科院半導體所研究員，博士生導師王軍喜將帶來與固態紫外器件相關的研究成果分享，王軍喜主要研究方向為半導體照明氮化鎵外延芯片材料生長研究及新型LED器件應用研究。在國內外高質量學術期刊上發表研究論文百余篇。在固態紫外器件領域，他及團隊有著多年的研究積累，

臺灣交通大學特聘教授郭浩中將帶來其最新成果，郭浩中在在III-V光學設備/材料(砷化鎵，磷化銦，氮化鎵)有超過20年的研究經驗。他發表過論文300余篇(6611總引用和38的H因子)。他曾擔任2015年美國電子電氣工程師協會(IEEE)會士，2012年美國光學學會(OSA)會士，2013年國際光學工程學會(SPIE)院士，2012年英國工程技術學會(IET)會士。

同時，北京大學教授王新強、青島杰生電氣有限公司技術總監武帥等眾多來自產學研不同環節的精英嘉賓將從不同的角度分享固態紫外器件的最新研究成果。

第三代半導體材料所具有的獨特性能，有望在這些領域突破傳統半導體技術的發展瓶頸，開拓新技術應用, 包括諸如基于第三代半導體材料的LED、LD發光技術、功率電子技術、微波功率技術、TFT技術、紫外探測技術和 MEMS與傳感技術等，技術發展大勢及廣闊的市場空間注定了其重要性和地位。欲把握第三代半導體的發展大勢與機遇，我們11月15日，北京見!